高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017972
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265524
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】式(1)の繰り返し単位を有する高分子化合物のフェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基の一部の水素原子が酸不安定基により部分置換され、残りのフェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基の一部とアルケニルエーテル化合物との反応により得られる分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋され、上記酸不安定基と架橋基との合計量が式(1)におけるフェノール性水酸基及びカルボキシル基の全体の0〜80モル%であるMw1,000〜500,000の高分子化合物。(R<SP>1</SP>はH又はCH<SB>3</SB>、R<SP>2</SP>はアルキル基、R<SP>3</SP>はH、R<SP>4</SP>はエステル基、又はR<SP>3</SP>とR<SP>4</SP>は結合して-COOCO-となる。x+y≦5、p+q=1、0<q/(p+q)≦0.9。)【効果】感度、解像性、プラズマエッチング耐性、レジストパターンの耐熱性に優れ、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物のフェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基の一部の水素原子が1種又は2種以上の酸不安定基により部分置換され、かつ残りのフェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基の一部とアルケニルエーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られる分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されており、上記酸不安定基と架橋基との合計量が式(1)におけるフェノール性水酸基及びカルボキシル基の全体の平均0モル%を超え80モル%以下の割合である重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R<SP>3</SP>は水素原子、R<SP>4</SP>は-COOR<SP>5</SP>(R<SP>5</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基)又は炭素数1〜5のアルキル基、ハロゲン原子もしくはシアノ基で置換された又は非置換のフェニル基を示す。或いは、R<SP>3</SP>とR<SP>4</SP>は互いに結合し-COOCO-となっていてもよい。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数であり、p、qは正の数であり、p+q=1、0<q/(p+q)≦0.9を満足する数である。)

IPC (6件)：

C08F 12/24 , C08F 8/00 , C08F 20/06 , C08F 20/12 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (6件)：

C08F 12/24 , C08F 8/00 , C08F 20/06 , C08F 20/12 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

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