特許

J-GLOBAL ID：200903033613077929

高精度エッチング方法と装置

発明者： 加藤 忠弘 ,  工藤 秀雄
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255945
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084881
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ面の各部位とエッチング用薬液間の相対平均流速の均一化を図ると共に、ウェーハのエッジ部におけるエッチング処理時の形状変化を低減し、高精度のエッチドウェーハを形成する方法とそれを実施するための簡便構造の装置を提供する。【構成】 薬液を流通する円弧状の流路1内でウェーハ2を自転させるか、または円環状の薬液槽内でウェーハ2を公転および自転させてウェーハ2面の各部位と薬液間の相対平均流速の均一を図ると共に、ウェーハ2の外縁近傍にテンプレートを配置し、エッジ部における流れの整流化を図るように構成される。

請求項（抜粋）：

エッチング用の薬液に半導体単結晶ウェーハを回転させながら浸漬させ、前記ウェーハの表面をエッチング処理するエッチング方法であって、前記薬液を円弧状の流路に沿って流通させ、前記流路を流れる薬液が曲がる方向と同一回転方向に前記ウェーハを自転させて、前記ウェーハ面の各部位に対する薬液の相対平均流速を均一にさせることを特徴とする高精度エッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-098181
  
• 特開昭57-010934
  
• 特開平2-018933