特許
J-GLOBAL ID:200903033613848879

センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-140855
公開番号(公開出願番号):特開平7-333078
出願日: 1995年06月07日
公開日(公表日): 1995年12月22日
要約:
【要約】【目的】 移動可能なエレメント構造が多層の基板1の上側のシリコン層から形成されているセンサにおいて、簡単な手段によってセンサの個別領域の低抵抗の接触接続を実現する。【構成】 上側の層の個別領域は分離(アイソレーション)溝15によって相互に分離されており、これら分離溝は導体路16によって橋絡されている。
請求項(抜粋):
上側のシリコン層(2)を備えた多層の基板(1)から成る力または加速度を測定するためのセンサであって、前記シリコン層から、力または加速度に基づいて移動する移動可能なエレメント(10,11,12)が構造化されており、前記上側の層(2)はその下に位置する層(4)に対して分離(アイソレーション)されており、電気的なリード(16)が設けられている形式のものにおいて、前記電気的なリード(16)は前記上側のシリコン層(2)の上側に配置されており、かつ前記上側のシリコン層(2)は、該上側のシリコン層(2)を完全に貫通する分離(アイソレーション)溝(トレンチ)(15)を有しており、該分離(アイソレーション)溝(15)は充填されておりかつ前記上側の層(2)の個別領域は相互に分離(アイソレーション)されておりかつ前記電気的なリード(16)によって、前記シリコン層(2)の2つの相互に分離(アイソレーション)されている領域間の分離(アイソレーション)溝(15)が橋絡されていることを特徴とするセンサ。
IPC (3件):
G01L 1/14 ,  G01G 3/00 ,  G01P 15/125
引用特許:
審査官引用 (1件)

前のページに戻る