特許

J-GLOBAL ID：200903033614745879

シロキサニル・ホスフェートの製造方法

発明者： 野村 俊彦
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024778
公開番号（公開出願番号）：特開平7-216091
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：

【要約】【目的】 塩基性触媒による高粘度のジオルガノポリシロキサンの製造工程における該塩基性触媒の中和剤として好適に用いることができる高粘度で低リン酸含有率のシロキサニル・ホスフェートを温和な条件下で速やかに製造する方法を提供する。【構成】 (A)リン酸と(B)一般式:【化1】で表されるジオルガノシロキサンと必要に応じて、(C)一般式:【化2】で表されるジオルガノシロキサンとを反応させることを特徴とする、一般式:【化3】で表されるシロキサニル・ホスフェートの製造方法(上式中、R1は一価炭化水素基、R2は水酸基または一価炭化水素基であり、但しR2の少なくとも1個は水酸基であり、xは1以上の整数、yは1以上の整数、zは1以上の整数、aは1〜3の整数)。

請求項（抜粋）：

(A)リン酸と(B)一般式:【化1】(式中、R1は一価炭化水素基であり、xは1以上の整数である。)で表されるジオルガノシロキサンと必要に応じて、(C)一般式:【化2】(式中、R1は一価炭化水素基であり、yは1以上の整数である。)で表されるジオルガノシロキサンとを反応させることを特徴とする、一般式:【化3】(式中、R1は一価炭化水素基であり、R2は水酸基または一価炭化水素基であり、但し、R2の少なくとも1個は水酸基であり、zは1以上の整数であり、aは1〜3の整数である。)で表されるシロキサニル・ホスフェートの製造方法。

IPC (2件)：

C08G 77/395 NUF ,  C07F 9/09