特許
J-GLOBAL ID：200903033614984660
電極基板および光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-120032
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327226
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】光電変換素子の電解質層または電荷移送層と、透明導電層や金属配線層との直接接触による短絡を回避すると共に、光電変換素子の出力特性の低下をも抑制できる電極基板および光電変換素子を提供する。【解決手段】本発明に係る電極基板は、基材10の片面上に透明導電層11と金属配線層12を順に積層して配した電極基板1であり、金属配線層12が内層13と外層14からなる二層以上の構造をなしていることを特徴としている。外層14としては自己組織化膜が用いられる。この自己組織化膜は、内層13との結合部位をなす末端の官能基に硫黄(S)元素を含むことを特徴としている。内層13としては、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)またはニッケル(Ni)の少なくとも一つの元素を含有しているものが好適に用いられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基材の片面上に透明導電層と金属配線層を順に積層して配した電極基板であり、前記金属配線層が内層と外層からなる二層以上の構造をなしていることを特徴とする電極基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032EE18
