特許

J-GLOBAL ID：200903033615179494

プラズマ発生方法とその装置

発明者： 山田 敬治
出願人/特許権者： 三容真空工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-042713
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237216
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体素子等の製造工程におけるエッチングやスパッタ蒸着による成膜等の処理に用いるのに適したプラズマ発生方法とその装置を提供することを目的とする。【解決手段】 エッチング等の真空チャンバに設けられたプラズマ発生電極に、電源回路より電圧を印加してプラズマ発生電極にプラズマを発生させるプラズマ発生方法において、プラズマ発生電極の近傍にプラズマを発生する際、少なくとも一対のプラズマ発生電極間で電子を移動すべく電位をフローティングしてプラズマを発生させる点にある。

請求項（抜粋）：

エッチング等の真空チャンバに設けられたプラズマ発生電極に、電源回路より電圧を印加してプラズマ発生電極の近傍にプラズマを発生させるプラズマ発生方法において、プラズマ発生電極の近傍にプラズマを発生する際、少なくとも一対のプラズマ発生電極間で電子を移動すべく電位をフローティングしてプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ発生方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 14/34 T ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Fターム (29件)：

4K029BD01 ,  4K029DC28 ,  4K029DC48 ,  5F004AA01 ,  5F004BA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB19 ,  5F004BB24 ,  5F004BD01 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA19 ,  5F045BB01 ,  5F045EB02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH20 ,  5F045EM10 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB23