特許
J-GLOBAL ID:200903033625908052
半導体発光素子およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉武 賢次 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-018915
公開番号(公開出願番号):特開2002-222990
出願日: 2001年01月26日
公開日(公表日): 2002年08月09日
要約:
【要約】【課題】 インジウムを含んだ窒化物半導体を用い発光特性の優れた半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、第2の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層の上に積層された第3の窒化物半導体層とを有する複数の島状積層体と、前記複数の島状積層体を埋め込んで前記第1の窒化物半導体層の上に形成された第4の窒化物半導体層と、を備え、前記第2の窒化物半導体層は、インジウムを含有し、前記第3の窒化物半導体層は、アルミニウムを含有する半導体発光素子を提供する。
請求項(抜粋):
第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、第2の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層の上に積層された第3の窒化物半導体層とを有する複数の島状積層体と、前記複数の島状積層体を埋め込んで前記第1の窒化物半導体層の上に形成された第4の窒化物半導体層と、を備え、前記第2の窒化物半導体層は、インジウムを含有し、前記第3の窒化物半導体層は、アルミニウムを含有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
Fターム (22件):
5F041AA03
, 5F041AA12
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA22
, 5F041CA34
, 5F041CA39
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB03
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AF02
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045CA09
, 5F045DA53
前のページに戻る