特許

J-GLOBAL ID：200903033626704523

半導体ウエハ及びその製造方法

発明者： 宮脇 守
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217824
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 デバイスとした時に、絶縁層12a,12b上の単結晶半導体層13a,13bを縦方向に利用できる半導体ウエハを容易に製造する。【構成】 多孔質単結晶半導体の仮基板14上に単結晶半導体層13a(又は13b)をエピタキシャル成長させ、この単結晶半導体層13a(又は13b)を基体11の積層面に貼り合わせて仮基板14をエッチング除去することで単結晶半導体層13a,13bを積層する。【効果】 単結晶半導体層13a,13bを絶縁層12a,12bを介して積層した半導体ウエハが容易に製造できる。

請求項（抜粋）：

基体上に、複数の非多孔質単結晶半導体層が絶縁層を介して積層されていることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-250666
  
• 特開平3-109731
  
• 特開平3-055823
  
• 特開平2-218109
  
• 特開平1-133341