特許
J-GLOBAL ID：200903033634158872
レチクル及びそれを使用した半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-333526
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 レチクル及びそれを使用した半導体装置の製造方法に関し,パターン形状検査の信頼性の向上と検査時間の短縮を目的とする。【構成】 ショット領域1の四隅のスクライブライン領域3に同一形状のテストパターン2a〜2dの形成されてなるレチクルにより構成する。また,ショット領域1の四隅のスクライブライン領域3に同一形状のテストパターン2a〜2dの形成されたレチクルを使用し,ステップアンドリピートにより四つのテストパターン2a〜2dを近接して配置し,四つのテストパターン2a〜2dを同時に観察系視野に入れて観察し,パターン形状検査を行うように構成する。
請求項（抜粋）：
ショット領域(1) の四隅のスクライブライン領域(3) に同一形状のテストパターン(2a 〜2d) の形成されてなることを特徴とするレチクル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 V
, H01L 21/30 301 M
