特許

J-GLOBAL ID：200903033635774585

非単結晶半導体製造装置

発明者： 小塚 開
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325800
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160043
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 非単結晶半導体製造装置を、高性能なデバイスを作成することができるようにする。【構成】 容量結合型高周波プラズマCVD装置10は、(1)N層成膜室13内の第1の高周波電極191 のガラス基板30の搬送方向の長さが、N層成膜室13のガラス基板30の搬送方向の長さとほぼ同じである点、(2)第1の高周波電極191 の周囲に設けられた第1のシールド201 を接地側または高周波電位側に切り替える第1のスイッチ211を有する点で、従来の容量結合型高周波プラズマCVD装置と異なる。なお、I層成膜室14およびP層成膜室15についても同様である。

請求項（抜粋）：

非単結晶半導体膜が基板上に成膜される真空的に独立した成膜室を少なくとも2つ以上含む非単結晶半導体製造装置において、前記一の成膜室で前記非単結晶半導体膜が成膜された前記基板をプラズマ雰囲気中に置いたまま前記他の成膜室に搬送する手段を含むことを特徴とする非単結晶半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-169980
  
• 特開昭59-072776