特許

J-GLOBAL ID：200903033643773610

誘導要素を組み込んだ集積回路及びこのような集積回路を製造する方法

発明者： ローラン・バテール ,  アフメド・ムハニ ,  フランソワ・ヴァランタン ,  ジャン-ミシェル・カラム
出願人/特許権者： メムスカップ ,  プランヘッド-シルマグ・ペ・アッシュ・エス
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080808
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277693
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 現存の誘導要素の電気的特性に対して優れた電気的特性、特にQ値を有するコンパクトなモノリシック集積回路を提供することである。【解決手段】 誘導要素(20)を組み込んだモノリシック集積回路(1)が半導体基板層(2)と、該半導体基板層(2)を被覆する不活性化層(4)と、前記基板(2)に接続されかつ不活性化層(4)の上面(6)と同一平面にするために不活性化層(4)を貫通する金属接触パッド(5)とを備え、前記回路は、インダクタを形成しかつ不活性化層(4)の上面(6)に平行な面内に形成された渦巻き状巻線(20)も含み、該巻線(20)は10μm以上の厚さを有する銅ターン(21-23,27,28)から成り、前記巻線の端部は巻線20の面の下方へ延びかつ前記接触パッド(5)に接続された延長部(12)を形成していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

誘導要素(20)を組み込んだモノリシック集積回路(1)が:-半導体基板層(2)と;-該半導体基板層(2)を被覆する不活性化層(4)と;-前記基板(2)に接続されかつ不活性化層(4)の上面(6)と同一平面にするために不活性化層(4)を貫通する金属接触パッド(5)とを備え、前記回路は、インダクタを形成しかつ不活性化層(4)の上面(6)に平行な面内に形成された渦巻き状巻線(20)も含み、該巻線(20)は10μm以上の厚さを有する銅ターン(21-23,27,28)から成り、前記巻線の端部は巻線20の面の下方へ延びかつ前記接触パッド(5)に接続された延長部(12)を形成しているモノリシック集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822