特許
J-GLOBAL ID：200903033645852231
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292430
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151809
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 シリコン集積回路と両立できる光配線素子を提供する。【構成】 シリコン酸化膜1上に形成されたシリコン薄膜2の一端に、ゲート絶縁膜3、ゲート電極4、高濃度n型にドープされたソース領域5及びドレイン領域6からなるMOSFETを形成する。他端には金属8でショットキー接合を形成し、ショットキー接合のシリコン側電極として高濃度p型領域9を形成する。MOSFETとショットキー接合との間のシリコン薄膜2内の低濃度ドープ領域7が光導波路となる。シリコン薄膜2全体をシリコン酸化膜などの絶縁膜10で覆い、各々の領域上でコンタクト孔を開口して金属電極11を形成する。【効果】 シリコン集積回路をより高速に動作させることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜内に形成された短冊状の半導体薄膜の一端に発光部となるMOSFETが形成され、他端に受光部となるショットキー接合が形成されており、前記短冊状の半導体薄膜を光導波路とすることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/15
, G02B 6/12
, H01L 31/108
