特許

J-GLOBAL ID：200903033652492569

半導体装置及びその作製方法

発明者： 中嶋 節男
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-065813
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326364
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタにおいて、非晶質シリコン膜の結晶化を助長する金属元素を効果的に除去するとともに、生産性の向上を目指す。【解決手段】 ソース、ドレイン領域に達するコンタクトホールを通じて、リンなどの15族元素を含有したシリコン膜を利用することにより、非晶質シリコンの結晶化を助長する金属元素を効果的に除去あるいは低減させ、生産性の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル形成領域を有する結晶性シリコン膜と、前記結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極と、前記ゲート電極上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に周期表15族に属する不純物元素を含有したシリコン膜と、前記周期表15族に属する不純物元素を含有したシリコン膜上に導電層とを有する半導体装置において、前記周期表15族に属する不純物元素を含有するシリコン膜は前記層間絶縁膜につくられたコンタクトホールで前記ソース領域または前記ドレイン領域と接し、かつ前記周期表15族に属する不純物元素を含有するシリコン膜は前記結晶性シリコン膜の形成に要した金属元素が偏析していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/322

FI (5件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-163062   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所