特許

J-GLOBAL ID：200903033653066580

焦電型赤外線薄膜素子

発明者： 富永 浩二
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331688
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167740
出願日： 1994年12月10日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 生産過程における膜の定着が良好で歩留りが高くコスト安な焦電型赤外線薄膜素子を提供する。【構成】 Si(100)基板2上に、CeO2 を含む(100)方向に配向したバッファ層3を介してPt膜4を(100)方向に配向させ、その基板上に、組成式がPbZrx Ti1-x O3 で表わされ、そのxの範囲が0≦x≦0.52であり、かつ分極方向が(001)方向である焦電体薄膜5を析出させ、その焦電体薄膜5上に赤外透過金属材料よりなる受光部6を設け、受光部下部の基板を受光部より大きく除去する。

請求項（抜粋）：

Si(100)基板上に、CeO2 を含む(100)方向に配向したバッファ層を介してPt膜を(100)方向に配向させ、その基板上に、組成式がPbZrx Ti1-x O3 で表わされ、そのxの範囲が0≦x≦0.52であり、かつ分極方向が(001)方向である焦電体薄膜を析出させ、その焦電体薄膜上に赤外透過金属材料よりなる受光部を設けてなり、かつその受光部下部の基板を受光部より大きく除去してなることを特徴とする焦電型赤外線薄膜素子。

IPC (3件)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02