特許

J-GLOBAL ID：200903033653365960

成膜方法

発明者： 佐野 佳克 ,  曲 正敏 ,  上野 正昭
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217669
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049096
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 簡易な構成により、上下ウェハの膜厚を均一化できる成膜方法を得る。【解決手段】 ウェハW1,W2を上下ヒータにより加熱するための上側ヒータ2と下側ヒータ3とを設け、これらヒータのいずれか一方に対して設定温度を設定して、該ヒータのパワー出力値を定めるよう制御するとともに、求められたパワー出力値に所定の調整値に基づく調整を行って他方のヒータのパワー出力値を定めるようにした。

請求項（抜粋）：

枚葉炉に搬入された上下2枚のウェハに成膜処理を行う成膜方法において、前記ウェハを上下ヒータにより加熱するための上側ヒータと下側ヒータとを設け、これらヒータのいずれか一方に対して加熱設定温度を設定して、該ヒータのパワー出力値を定めるよう制御するとともに、求められたパワー出力値に所定の調整値に基づく調整を行って他方のヒータのパワー出力値を定めるようにしてなる成膜方法。

Fターム (7件)：

5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP11 ,  5F045EK22 ,  5F045EK25 ,  5F045EK27 ,  5F045GB16