特許

J-GLOBAL ID：200903033658273370

III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法

発明者： 橋本 忠朗 ,  今藤 修 ,  石田 昌宏 ,  杉野 隆
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社 ,  杉野 隆
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059034
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249499
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 光デバイス、電子デバイス等に用いる高品位の立方晶III族窒化物半導体をエピタキシャル成長することを目的とする。【解決手段】 Si基板1上にCVD法により立方晶SiC層2を形成し、その上にMOCVD法によりGaNバッファ膜3を堆積する。このGaNバッファ膜3上に、NH3とTMGaを原料ガスとしたMOCVD法により、基板温度800°Cで立方晶GaN結晶4を成長させる。この時、堆積したGaNバッファ膜3中の原子は立方晶SiC基板の原子配列に従い再配列し、GaNバッファ膜3は立方晶に変化する。これにより、SiC層2の立方晶の結晶構造を最上層の立方晶GaN結晶に引き継ぐことができる。

請求項（抜粋）：

立方晶SiC基板上またはSi基板表面に形成された立方晶SiC層上にIII族窒化物膜を堆積する工程と、前記III族窒化物膜上に800°C以上の温度で立方晶III族窒化物半導体を成長する工程とを有することを特徴とするIII族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18