特許

J-GLOBAL ID：200903033661404257

多層配線の形成方法

発明者： 柴田 英毅 ,  小寺 雅子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335422
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 高い歩留まり、高信頼性の多層配線の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 段差を有する第一の配線部106上の第二の絶縁膜107を選択的に除去して、前記第一の配線部106の段差の低い部分上に第一の開口部108を形成し、段差の高い部分上に第二の開口部109を形成する工程と、第二の配線部となる配線材料112を少なくとも前記第一の開口部108の深さに、前記第一、第二の開口部内108、109に選択的に形成し、前記開口部108、109内に前記配線材料112を完全に埋め込む工程と、前記開口部108、109の深さ以上に形成された前記配線材料112を研磨剤によって消去させることによって、前記第二の絶縁膜107及び前記配線材料112の表面平滑化を行い、前記第二の配線部107を形成する工程とを具備している。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、上面が段差を有する第一の絶縁膜を形成する工程と、前記第一の絶縁膜上の段差を少なくとも含むように、第一の配線部を選択的に形成する工程と、前記第一の配線部を有する前記第一の絶縁膜上に第二の絶縁膜を形成し、この第二の絶縁膜を平坦化する工程と、前記第二の絶縁膜上に第三の絶縁膜を形成する工程と、前記第一の配線部上の前記第二及び第三の絶縁膜を選択的に除去して、前記第一の配線部の段差の低い部分上に第一の開口部を形成し、段差の高い部分上に第二の開口部を形成する工程と、第二の配線部となる高融点金属膜を少なくとも前記第一の開口部の深さに、前記第一、第二の開口部内に選択的に形成し、前記開口部内を完全に埋め込む工程と、前記開口部の深さ以上に形成された前記高融点金属膜を前記第三の絶縁膜をストッパ-として研磨法によって除去させることによって、前記第二の絶縁膜及び前記配線材料の表面平滑化を行い、前記第二の配線部を形成する工程とを具備することを特徴とする多層配線の形成方法。