特許
J-GLOBAL ID：200903033662512665
MOSトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017554
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213605
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 不純物を高濃度に含む浅い拡散層を有するMOSトランジスタの製造方法を提供する。【構成】 第1工程では、非酸化性雰囲気中でゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が形成された基板11上に第1の不純物を含有するSiGeからなる不純物供給層14を形成する。第2工程では、熱処理によって不純物供給層14から基板11中に第1の不純物15を固相拡散させ、ソース及びドレインの浅い拡散層16部分を形成する。第3工程では、不純物供給層14を除去する。第4工程では、ゲート絶縁膜12及びゲート電極13の側壁にサイドウォール17を形成した後、サイドウォール17及びゲート電極13から露出する基板11中に第1の不純物15と同じ導電型の第2の不純物18をイオン注入し、ソース20及びドレイン21の拡散層19部分を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンからなる基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した後、非酸化性雰囲気中で前記基板の露出面上に第1の不純物を含有するシリコン-ゲルマニウムまたはゲルマニウムからなる不純物供給層を形成する第1工程と、熱処理によって前記不純物供給層から前記基板中に前記第1の不純物を固相拡散させ、ソース及びドレインの浅い拡散層部分を形成する第2工程と、前記不純物供給層を除去する第3工程と、前記ゲート絶縁膜及びゲート電極の側壁にサイドウォールを形成した後、当該サイドウォール及び当該ゲート電極から露出する基板中に前記第1の不純物と同じ導電型の第2の不純物をイオン注入し、ソース及びドレインの拡散層部分を形成する第4工程とを行うことを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/225
