特許
J-GLOBAL ID：200903033663412095
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169215
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032105
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 Gbit/s帯光ファイバ伝送システム、光信号処理システム等に用いるIC駆動電圧のみ動作可能なAPD、超高速応答可能なAPD及び他の電子回路と集積可能なAPDを提供する。【構成】 光吸収層と超格子増倍層5を導波路コア4,6の一部に形成する。【効果】 電界を印加する方向の厚みが薄くなるので、必要なバイアス電圧の低下、キャリア走行時間の短縮、電子デバイスの微細加工が可能になる。その結果、IC駆動電源でAPD駆動や超高速応答可能なAPD及びそのシステムが歩留まり良く作製できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された光導波路と光吸収部とアバランシェ増倍部とを有し、受信信号光は該導波路方向に入射し、該光吸収部で光吸収後生成したキャリアが走行する方向は該信号光の進行方向と異なり、該キャリアの少なくとも一部は半導体内走行中に該アバランシェ増倍部で増倍作用を受けて光検出される光半導体受光装置において、少なくとも導波路内の伝搬部、即ちコアの一部で光吸収が生じることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 B
, H01L 27/14 K
