特許
J-GLOBAL ID：200903033663582756
半導体レーザモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-108242
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318762
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザと受光素子の位置合わせの簡易化と両者間の受光レベルの向上を図る。【構成】 ベース1に配設したパッケージ3内にサーモモジュール4を介してサドル5を設ける。サドル5には、半導体レーザ(LD)を搭載するチップキャリア15と、フォトダイオード(PD)14を搭載するチップキャリア16と、レンズ9と、アイソレータ10と、パッケージ3を挿通して導出された光ファイバ12が挿入されたフェルール11および、フェルール先端に取付けたアイソレータ10を載置する。LDのチップキャリア15の凹部15aとPDのチップキャリア16の凸部16aとは嵌り合っており、LDは凹部15aの底を貫通する孔に装着され、PDは、凸部16aの先端に形成される傾斜面に装着される。PDの受光面はLDからのレーザ光を効率よく受光できるように長円形状とされている。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、前記半導体レーザの前後にそれぞれ配設されるレンズおよび受光素子が一体化されてなる半導体レーザモジュールにおいて、レーザ光の出射方向に対し非直角に傾斜配置される前記受光素子の受光面の形状を、円錐と、この円錐の軸線に対し所定角度傾斜した平面との交面であらわされる形状としたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02B 6/42
, H01L 31/12
