特許

J-GLOBAL ID：200903033670079148

マイクロ構造体、その製造方法及びそれを用いた静電アクチュエータ

発明者： 八木 隆行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055759
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250779
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 a)応答性や信頼性の高いマイクロ構造体、b)特に、応答性および信頼性の高い静電アクチュエータ、ならびに、c)基板材料も含めて広い範囲の材料を用いて、段差のある基板上であっても電極パターンを有するマイクロ構造体を形成できるマイクロ構造体の製造方法を提供する。【構成】 第1基板とビーム形成層(またはビームパターン)を有する第2基板を樹脂膜よりなる接着層を介してビーム形成層を挟む形で接着し、ビーム形成層上の層を除去し、所定のビームパターンを得て、そのパターン上に樹脂膜よりなる空隙形成層を形成し、ビームパターンの一端と第1基板とを接続するための支持部、およびビームパターン上に空隙形成層を介してメンブレンを形成し、接着層および空隙形成層を除去してマイクロ構造体を製造する。

請求項（抜粋）：

基板上に、一端を支持部によって支持されたビームが空隙を介して配置され、該ビームが支持部により支持されており、さらに該ビーム上に空隙を介してメンブレンが配置されているマイクロ構造体。

IPC (6件)：

H01L 41/09 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 41/22 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 41/08 C ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/30 562 ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 21/302 F