特許
J-GLOBAL ID：200903033677366703
温度測定方法,温度測定用サンプルの作成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349875
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232142
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 チャンバ内の温度,温度分布を高い精度で測定しうる温度測定方法と、温度測定に適したサンプルの作成方法とを提供する。【解決手段】 自然酸化膜11を有するシリコン基板10にAsを注入すると、アモルファス領域10aが形成され、アモルファス領域10aは、酸素濃度が臨界値以上の高濃度酸素領域10aaと、酸素濃度が臨界値よりも低い低濃度酸素領域10abとに分かれる。その後、酸素イオンの注入を行なうと、高濃度酸素領域10aaがアモルファス領域全体に拡大される。アニールを行なうと、アモルファス領域の厚みが小さくなるのを利用して、回復レートを求める。さらに、アニール温度と回復レートとの関係を利用して、アニール温度を求める。アモルファス領域の酸素濃度を臨界値以上に調整することにより、回復レートをほぼ一定の小さな値にすることができ、温度測定の精度及び信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
基板の半導体領域内に形成されたアモルファス領域中に酸素をドープするステップ(a)と、上記アモルファス領域を一定時間加熱してアモルファス領域が再結晶化する回復レートを求めるステップ(b)と、予め準備されている上記アモルファス領域の回復レートと加熱温度との関係に基づいて、上記ステップ(b)におけるアモルファス領域の温度を求めるステップ(c)とを含む温度測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01K 11/00
, H01L 21/205
, H01L 21/302
H01L 21/66 T
, G01K 11/00 Z
, H01L 21/205
, H01L 21/302 Z
