特許

J-GLOBAL ID：200903033682133725

光電変換素子の作製方法、光電変換素子及び光電池

発明者： 塚原 次郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187882
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 優れた変換効率を示す光電変換素子の作製方法、この方法で作製した光電変換素子、並びにこの光電変換素子を用いた光電池を提供する。【解決手段】 色素が吸着した半導体微粒子を含有する感光層と導電性支持体とを有する光電変換素子を作製する方法。半導体微粒子をスカンジウム、イットリウム、ランタノイド、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、インジウム、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれる金属のアルコキシドの水溶液で処理した後、前記半導体微粒子に色素を吸着させることを特徴とする光電変換素子の作製方法。

請求項（抜粋）：

色素が吸着した半導体微粒子を含有する感光層と導電性支持体とを有する光電変換素子を作製する方法であって、前記半導体微粒子をスカンジウム、イットリウム、ランタノイド、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、インジウム、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれる金属のアルコキシドの水溶液で処理した後、前記半導体微粒子に色素を吸着させることを特徴とする光電変換素子の作製方法。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5F051AA20 ,  5F051FA01 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB04 ,  5H032BB07 ,  5H032EE02