特許
J-GLOBAL ID:200903033682361574
樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-120687
公開番号(公開出願番号):特開平6-302604
出願日: 1993年04月23日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】 小型化、電気的特性の向上を実現しかつ信頼性の高い樹脂封止型半導体パッケージを提供する。【構成】 半導体チップ3の主表面上にはボンディングパッド4が形成されている。このボンディングパッド4上に開口部を有するように、半導体チップ3の表面上に絶縁層11が形成されている。ボンディングパッド4上には下地金属層12が形成されている。絶縁層11上には、下地金属層12の周縁部上に乗上げるようにバッファコート膜13が形成されている。下地金属層12上には接続層8が形成される。接続層8上には第1導体部9が形成される。第1導体部9の上面のみを露出させるように封止樹脂1が形成される。第1導体部9の上面上には、塊状の第2導体部10が形成される。
請求項(抜粋):
主表面に素子が形成された半導体チップと、前記半導体チップの主表面に形成され、外部引出用電極として機能するボンディングパッドと、前記ボンディングパッド上に形成され、略平坦な上面を有する第1導体部と、前記第1導体部の上面のみを露出させるように前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記第1導体部の上面上に形成され、前記第1の導体部と材質の異なる塊状の第2導体部と、を備えた樹脂封止型半導体パッケージ。
IPC (3件):
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
, H01L 23/28
FI (3件):
H01L 21/92 B
, H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
引用特許:
前のページに戻る