特許
J-GLOBAL ID:200903033684836936

光電変換素子の駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-115269
公開番号(公開出願番号):特開平8-288537
出願日: 1995年04月18日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【目的】 駆動電源の負担を低減でき、しかも周辺回路などを小型化できる光電変化素子の駆動方法を提供する。【構成】 半導体層の上下にゲートを有する所謂ダブルゲート構造にMOS型光電変換素子の、上部ゲート電極20、下部ゲート電極12、ドレイン電極16など端子に印加する電圧を単一極性とする。これにより、駆動電源の負担が低減され、周辺の電源回路などの構成を簡略化することが可能となる。このため、携帯情報機器などにこの光電変換素子を用いると、電池などの寿命を長くできる利点がある。
請求項(抜粋):
半導体層の上下にそれぞれゲート絶縁膜を介して該半導体層と対向する上部ゲート電極、下部ゲート電極がそれぞれ設けられると共に、前記半導体層の両側にソース電極とドレイン電極とが設けられてなり、前記半導体層に入射される光の量に応じたドレイン電流を流す光電変換素子の駆動方法において、前記上部ゲート電極、前記下部ゲート電極および前記ドレイン電極に同一極性の電圧を印加することを特徴とする光電変換素子の駆動方法。
IPC (3件):
H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (4件):
H01L 31/10 E ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/10 G

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