特許

J-GLOBAL ID：200903033688506574

強誘電体素子

発明者： 島田 勝人
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001444
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190798
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 PZT強誘電体キャパシタを有する不揮発性半導体記憶装置に於いて、書き換え回数1015回以上に於いても、強誘電体キャパシタの電極近傍の領域の伝導型の反転を防止することにより、空間電荷領域の発生を無くし、スイッチング電荷の大きさの低下を防ぎ、更にリーク電流の増大を防ぐことを目的とする。【構成】 強誘電体キャパシタの積層構造を、p型、p-型、p型あるいはn型、n-型、n型として、強誘電体膜の電極界面の伝導型を中央部と同型とし且つキャリヤ濃度を、中央部より増やす。

請求項（抜粋）：

強誘電体が2つの電極によって挟まれた構造を有する強誘電体素子に於て、前記強誘電体の伝導型がp型であり、前記強誘電体の正孔濃度が前記2つの電極近傍で濃く、前記強誘電体の中央部で薄いことを特徴とする強誘電体素子。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 325 M ,  H01L 29/78 371