特許

J-GLOBAL ID：200903033695444274

縦型MOSFETの製造方法

発明者： 青柳 民朗
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057246
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255901
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、特性ばらつきの低減、微細化の達成及びプロセス工程の削減を目的とする。【構成】 第1のトレンチエッチマスク用膜3をマスクとして半導体基板1に第1のトレンチ5を形成し、第1のトレンチ5の底部に第1のトレンチ5よりも幅の狭い第2のトレンチ7を形成し、第2のトレンチ7の内部に第1の絶縁膜8を介して導電体9を埋設し、第1のトレンチ5内部に埋設した第3のトレンチエッチマスク用膜11をマスクとして半導体基板1に第3のトレンチ14を形成し、第3のトレンチ14内表面を含む半導体基板1上面に導電体15を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に所定開口長の開口部を有する第1のトレンチエッチマスク用膜を形成する第1の工程と、前記第1のトレンチエッチマスク用膜をマスクとして前記半導体基板に第1のトレンチを形成する第2の工程と、前記第1のトレンチの底部に該第1のトレンチよりも幅の狭い第2のトレンチを形成する第3の工程と、前記第2のトレンチの内壁に第1の絶縁膜を形成する第4の工程と、前記第2のトレンチの内部に前記第1の絶縁膜を介して導電体を埋設する第5の工程と、前記第1のトレンチの内部に第3のトレンチエッチマスク用膜を埋設する第6の工程と、前記第3のトレンチエッチマスク用膜をマスクとして前記半導体基板に第3のトレンチを形成する第7の工程と、前記第3のトレンチ内表面を含む前記半導体基板上面に導電膜を形成する第8の工程とを有することを特徴とする縦型MOSFETの製造方法。