特許

J-GLOBAL ID：200903033696641812

ナノチューブトランジスタデバイスおよびその製造方法

発明者： ビオン・マン・キム ,  中里 和郎 ,  水田 博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027555
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064452
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 ナノチューブを採用したトランジスタデバイスに関して、ナノチューブ構造体に数多く含む様々な欠陥を取り除く、より信頼性の高いデバイスの製造方法を提案し、半導体素子特性の性能向上を図る。 【解決手段】 トランジスタデバイスであって、ソース領域とドレイン領域(SとD)と、前記ソース領域とドレイン領域との間に電荷キャリアのパスを提供するナノチューブ構造体(2と3)と、ゲート領域(4)とを具備するトランジスタデバイス。前記ナノチューブ構造体には、前記パス内における電荷キャリアの通過を制御するために、例えばドーピングなどの手段によって前記ゲート領域内で局部的に修正された伝導帯がある。前記デバイスは、フラッシュメモリあるいはDRAM内のメモリ要素として使用できる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

トランジスタデバイスであって、 前記デバイスは、ソース(S)領域とドレイン(D)領域と、 前記ソース領域とドレイン領域との間における電荷キャリアの経路を形成するナノチューブ構造体(1)と、 ゲート領域(4と9)とを具備し、 該ナノチューブ構造体は前記経路内における前記電荷の通過を制御するために前記ゲート領域内においてエネルギーバンドプロファイルもしくはバンドギャップを局部的に変化させた伝導帯を有する ことを特徴とするトランジスタデバイス。

IPC (11件)：

H01L29/786 ,  B82B1/00 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

FI (10件)：

H01L29/78 626Z ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/80 C ,  H01L29/80 B

Fターム (48件)：

5F083EP02 ,  5F083EP03 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP61 ,  5F083EP76 ,  5F083ER02 ,  5F083ER13 ,  5F083ER22 ,  5F083HA02 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33 ,  5F101BA12 ,  5F101BA19 ,  5F101BB02 ,  5F101BC01 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F102GC00 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL00 ,  5F102GL01 ,  5F102GT10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許第6,538,262号明細書
  
• 米国特許出願 20020027312A1号公報
  
• 米国特許第6,203,864号明細書
  
• 米国特許出願第20030044608 A1号公報
  
• 米国特許第6,325,909号明細書
  
• 米国特許第6,515,325号明細書
  
• 米国特許6,566,704号明細書