特許

J-GLOBAL ID：200903033699727297

気相加工方法及びその装置

発明者： 山中 英雄 ,  貝瀬 喜久夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100805
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294535
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 反応種(イオン、ラジカルなどの反応種)の運動エネルギーを十分にし、基板にダメージを与えることなしに、エッチング又はアッシングを行える方法と、この方法に用いる装置を提供すること。【解決手段】 CF4 ガスなどの反応ガス40を加熱されたタングステンなどの触媒体46に接触させ、これによって生成した反応種又はその前駆体によって基板1上の多結晶シリコンなどの所定の膜を気相エッチングする。

請求項（抜粋）：

反応ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した反応種又はその前駆体によって、基体又は基体上の膜をエッチング又はアッシングする気相加工方法。

Fターム (49件)：

5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA19 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB19 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA05 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004DB14 ,  5F004DB15 ,  5F004DB16 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004DB30 ,  5F004EA34 ,  5F004EA35