特許

J-GLOBAL ID：200903033702373086

GaN系結晶成長用基板

発明者： 大内 洋一郎 ,  岡川 広明 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179339
公開番号（公開出願番号）：特開2000-007494
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：

【要約】【課題】 マスク層と周囲のGaN系結晶層との識別を容易にし、GaN系結晶層を成長させた後の種々の加工の好ましい基準となりえるマスク層を有するGaN系結晶成長用基板を提供すること。【解決手段】 ベース基板1上に形成されたマスク層2内に、紫外域〜赤外域のなかから選ばれる波長光を透過させない識別用物質を分散させ、それによって、マスク層を視覚的または光学的に識別できるものとする。識別用物質には、Fe、Cr、Ndなどを用い、これらの原子の分散によってマスク層に与えられた識別性が、GaN系半導体の結晶成長の条件にさらされても失われないものとする。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶が成長可能なベース基板面に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層は、それ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなり、マスク層内には、紫外光〜赤外光のなかから選ばれる波長光を透過させない識別用物質が分散し、マスク層が視覚的または光学的に識別できるものとされ、前記識別用物質は、マスク層内においてGaN系半導体の結晶成長の条件にさらされてもマスク層に与えた識別性を失わないものであることを特徴とするGaN系結晶成長用基板。

IPC (2件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 D

Fターム (9件)：

4G051BK04 ,  4G051BK08 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077EE07 ,  4G077FB04 ,  4G077FB07