特許
J-GLOBAL ID：200903033704046856

新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
渡辺 淳

渡辺 淳 について

, 
前田 和規

前田 和規 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322182
公開番号（公開出願番号）：特開2002-128755
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 一般式1のオニウム塩。(R1はC6〜14の置換又は非置換のアリール基。R2は同一でも異なってもよく、H又はC1〜6の置換又は非置換のアルキル基。R0は水酸基、アルコキシ基、ハロゲン又はニトロ基。p〜rは1又は2。R3は同一でも異なってもよく、C1〜10の置換又は非置換のアルキル基、又はC6〜14の置換又は非置換のアリール基。MはS又はIを示し、MがSの場合aは3、Iの場合aは2である。)【効果】 オニウム塩のベンゼンスルホン酸アニオン内にスルホン酸エステル基を含有することより、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有し、特に遠紫外線リソグラフィーにおいて威力を発揮する。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるオニウム塩。【化1】(式中、R1は炭素数6〜14の置換又は非置換のアリール基を示す。R2は同一でも異なってもよく、水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換のアルキル基を示す。R0は水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はニトロ基を示す。p、q、rはそれぞれ1又は2である。R3は同一でも異なってもよく、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換のアルキル基、又は炭素数6〜14の置換又は非置換のアリール基を示す。Mは硫黄原子又はヨウ素原子を示し、Mが硫黄原子の場合aは3であり、Mがヨウ素原子の場合aは2である。)
IPC (8件)：
C07C309/73 ,  C07C 25/18 ,  C07C381/12 ,  C08K 5/36 ,  C08L101/00 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (8件)：
C07C309/73 ,  C07C 25/18 ,  C07C381/12 ,  C08K 5/36 ,  C08L101/00 ,  C09K 3/00 K ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (18件)：
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4J002BC121 ,  4J002BG011 ,  4J002EV256 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03
引用特許：
審査官引用 (2件)

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