特許
J-GLOBAL ID：200903033705271543
反応性スパッタリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200772
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041733
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造プロセスや電子部品材料などの製造工程に使用する反応性スパッタリング装置において、ターゲット表面でのターゲット材と反応性ガスとの反応による化合物の生成を抑制し、反応性スパッタリングによる薄膜形成速度を向上させる反応性スパッタリング装置の提供を目的とする。【構成】 基板ホルダー12に複数の小孔14を設け、反応ガス5を高周波電源17が接続された放電用コイル15に導入し活性化したラジカルとして小孔14よりチャンバー1内に供給する。放電ガス4はターゲット6の近傍より供給され、差圧板18によりそれぞれのガスは別々に分布される。反応ガスはターゲット近傍以外に分布されるため、ターゲット表面上でのターゲット材との化合物の生成が抑制され、化合物薄膜の形成速度が低下することなくスパッタリングを行うことができる。
請求項（抜粋）：
真空状態の維持が可能なチャンバーと、チャンバー内を減圧雰囲気にするための真空ポンプと、チャンバー内に固定されたマグネトロン型カソードと、前記カソードに取り付けられたターゲットと、チャンバー内で、かつ前記ターゲットに対向するように配され、複数の小孔を有し基板を設置固定する基板ホルダーと、チャンバー内に放電ガスを供給するための第1のガス供給系と、反応ガスをプラズマによりラジカル状態にしてチャンバー内に供給するための放電用コイルと、前記放電用コイルに印加するための高周波電源と、前記基板ホルダーの小孔を通じて反応ガスを供給するための第2のガス供給系と、基板ホルダー側の圧力を低く保つための差圧板と、前記カソードに電圧を印加する電源とから構成される反応性スパッタリング装置。
IPC (2件)：
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