半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029315
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のメッキ法による配線形成工程において、段差の小さい平坦な配線を得ることを目的とする。【構成】半導体素子上に形成された配線3の上に層間絶縁膜4を形成して平坦にした後導電膜5と絶縁膜9を順に被着する。その後スルーホール8を開け、再び導電膜10及び絶縁膜11を被着し、エッチバックして、スルーホール8の側壁部のみに残るようにする。その後、スルーホール部をメッキ埋設した後、再びエッチバックして、はじめに被着した導電膜5及び後から被着した側壁部の導電膜10及び下層配線3に給電して上層配線7をメッキ成長させる。

請求項（抜粋）：

上層配線と下層配線を分離する層間絶縁膜に対し下層配線上の所望の位置に凹形溝状の下層配線まで達するスルーホールが開口され、その凹形溝状スルーホール内部が前記層間絶縁膜表面と概ね同じ高さになるように導体により埋込まれ、更に前記層間絶縁膜及びスルーホール内部に埋込まれた導体上に上層配線が形成された構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-164241
特開平3-270234
特開昭63-127550

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