特許

J-GLOBAL ID：200903033713949095

CMOSイメ-ジセンサ及びその駆動方法

発明者： キム ヒョン ウン ,  カン ホイ シキ
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-355662
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 CMOSイメージセンサを構成する画素アレイの構造及び画素アレイを駆動する方法を提供すること。【解決手段】 複数のフォトダイオード101,102と、制御信号Tx1,Tx2に応答して複数のフォトダイオード101,102から出力される光電荷を単一センシングノードAへ選択的に伝達するための複数の伝達手段M21,M22と、単一センシングノードAをリセットさせるための共通リセット手段M1と、単一センシングノードAの電圧レベルに対応される電気的信号を出力するための共通出力手段M3とを含む単位画素を備える。共通リセット手段M1は単一センシングノードAのリセットレベルを決定する。CMOSイメージセンサは相互連関された二重サンプリング方式で電気的信号をサンプルして、最終イメージ値を外部ディバイスへ出力する。

請求項（抜粋）：

CMOSイメージセンサにおいて、任意の物体から投射光を入力されて光電荷を生成する複数のフォトダイオードと、上記複数のフォトダイオードに対応され、外部制御器からの制御信号に応答して上記複数のフォトダイオードから出力される光電荷を単一センシングノードへ伝達するための複数の伝達手段と、上記単一センシングノードをリセットさせるための共通リセット手段と、上記単一センシングノードの電圧レベルに対応される電気的信号を出力するための共通出力手段とを含む単位画素を備え、上記制御信号は上記複数のフォトダイオードからの光電荷を選択的に上記単一センシングノードへ伝達するために上記複数の伝達手段を制御し、上記共通リセット手段は上記複数のフォトダイオードのそれぞれに対応される上記単一センシングノードのリセットレベルを決定し、上記CMOSイメージセンサは相互連関された二重サンプリング方式で上記電気的信号をサンプルして、最終イメージ値を外部ディバイスへ出力することを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 固体撮像装置と画像撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-197471   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-033482
  
• 能動画素画像センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-262605   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146608   出願人：ソニー株式会社