特許
J-GLOBAL ID:200903033715071801
有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ、スイッチング素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-109005
公開番号(公開出願番号):特開2003-301116
出願日: 2002年04月11日
公開日(公表日): 2003年10月21日
要約:
【要約】【課題】 特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機電荷輸送性材料薄膜を得ることにあり、該有機電荷輸送性材料薄膜を用いて、フラットパネルディスプレイ等に適用可能な、製造の容易な電界効果トランジスタ又はスイッチング素子を提供することにある。【解決手段】 共役高分子と有機金属錯体の混合物であることを特徴とする有機半導体材料及び該有機半導体材料を含んでなる電界効果トランジスタ、該電界効果トランジスタを用いたことを特徴とするスイッチング素子。
請求項(抜粋):
共役高分子と有機金属錯体の混合物であることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
C08L101/00
, C08K 5/56
, H01L 29/786
, H01L 51/00
FI (4件):
C08L101/00
, C08K 5/56
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
Fターム (51件):
4J002BM001
, 4J002CE001
, 4J002CP011
, 4J002EZ006
, 4J002GQ02
, 5F110AA01
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE41
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF21
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG41
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK10
, 5F110HK31
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110QQ06
, 5F110QQ14
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平2-209931
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ポリシラン組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-216575
出願人:信越化学工業株式会社
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特表平5-505838
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