特許

J-GLOBAL ID：200903033718316627

マスク清浄方法及びそれを用いるデバイス製造方法と電子ビーム露光装置

発明者： 河田 真太郎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068034
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257150
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 電子ビーム露光装置に取り付けられたマスクをクリーニングするためにスループットが大幅に低下することのないマスク清浄方法等を提供する。【解決手段】 基板9上の所定の領域に塗布されたレジストにマスク4上のパターンを投影露光するための電子ビーム露光装置におけるマスク清浄方法であって、(a)所望のパターンが形成されたマスク4を電子ビーム露光装置内に設置する工程と、(b)電子ビーム露光装置内を減圧する工程と、(c)電子ビーム3をマスク4に向けて照射し、マスク4を通過した電子ビームを偏向させてレジストが塗布された領域以外に逃がす工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

基板上の所定の領域に塗布されたレジストにマスク上のパターンを投影露光するための電子ビーム露光装置におけるマスク清浄方法であって、(a)所望のパターンが形成されたマスクを電子ビーム露光装置内に設置する工程と、(b)前記電子ビーム露光装置内を減圧する工程と、(c)電子ビームを前記マスクに向けて照射し、前記マスクを通過した電子ビームを偏向させて前記レジストが塗布された領域以外に逃がす工程と、を具備することを特徴とするマスク清浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504

FI (3件)：

G03F 1/08 X ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (12件)：

2H095BA08 ,  2H095BB20 ,  2H097AA03 ,  2H097BA02 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA22 ,  5F056AA27 ,  5F056BA09 ,  5F056BB03 ,  5F056FA03 ,  5F056FA10