特許

J-GLOBAL ID：200903033719084088

半導体レーザの製造方法

発明者： 亀井 英徳
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-120500
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315703
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 量産性、歩留り率に優れる半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 レーザウエハ10の電極形成面上に、レーザ光進行方向に幅を有する複数のストライプ状マスク層13aを選択形成する工程((a)(b))と、マスク部位以外のレーザウエハ10を少なくとも活性層11断面が露出するまでエッチングして複数の矩形溝体14を形成する工程((c) )と、全表面に所定厚の誘電体膜15を形成した後に前記マスク層13aを除去する工程((d)(e))と、レーザウエハを分離切断して複数のレーザバー又はレーザチップに成形する工程((f))とをこの順に行い、ウエハ段階で誘電体膜15を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

電極形成面と平行の半導体結晶面内にレーザ発振領域となる活性層を埋め込んだレーザーウエハを出発材料として、複数のレーザバー又はレーザチップを製造する方法であって、前記レーザウエハの電極形成面上に、光進行方向に幅を有する複数のストライプ状マスク層を並列に選択形成するマスク形成工程と、マスク部位以外のレーザウエハを、電極形成面から少なくとも活性層断面が露出するまでエッチングして、その側面部が電極形成面と略垂直となる複数の矩形溝体を形成するウエハエッチング工程と、エッチングされたレーザウエハの全表面に所定厚の誘電体膜を形成した後に前記マスク層を除去するコーティング工程と、レーザウエハを分離切断して複数のレーザバー又はレーザチップに成形する成形工程とを少なくともこの順に経ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-293687
  
• 特開昭61-099395
  
• 特開平4-085889
  
• 特開昭60-235482