特許
J-GLOBAL ID:200903033720199395

低温銅導体ペースト,並びに導体組成物及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-212768
公開番号(公開出願番号):特開2000-048640
出願日: 1998年07月28日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【課題】 半田食われ性及びマイグレーション性が少なく,かつ導体抵抗値が小さいという,Cu導体本来の特性を保持しつつ,冷熱サイクル試験による半田付け強度の劣化を防止できる導体膜を形成し得る低温銅導体ペースト,並びに導体組成物及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Cuと,Cu以外の添加金属1種以上とからなる金属成分を含有する低温銅導体ペーストである。添加金属は,金属成分の融点をCuの融点よりも低い融点にする金属である。低温銅導体ペーストの中における上記添加金属の含有量は,1〜35重量%である。
請求項(抜粋):
Cuと,Cu以外の添加金属1種以上とからなる金属成分を含有する低温銅導体ペーストにおいて,上記添加金属は,上記金属成分の融点をCuの融点よりも低い融点にする金属であり,上記低温銅導体ペーストの中における上記添加金属の含有量は,1〜35重量%であることを特徴とする低温銅導体ペースト。
Fターム (7件):
5G301DA02 ,  5G301DA06 ,  5G301DA08 ,  5G301DA33 ,  5G301DD01 ,  5G301DE01 ,  5G301DE10
引用特許:
審査官引用 (4件)
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