特許

J-GLOBAL ID：200903033721060390

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 伊藤 政隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291896
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135467
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 TFTのオフ電流を低減する。ゲート電極5の断線、短絡等を低減し、オフセット構造のTFTの信頼性、安定性を従来よりも向上させる。【解決手段】 ガラス基板1上にバッファ層2を介して多結晶シリコンから成る半導体層3が設けられる。この半導体層3において、ソース領域3aとチャネル部3cとの間、ドレイン領域3bとチャネル部3cとの間に、それぞれ高抵抗のオフセット部3d、3eが設けられる。そして、半導体層3のチャネル部3c上に、ゲート絶縁膜4aが設けられ、このゲート絶縁膜4a上に、該ゲート絶縁膜4aを覆うようにゲート絶縁膜4bが設けられる。このゲート絶縁膜4bの表面は、例えばスピンコート法により平坦化される。該ゲート絶縁膜4bは、例えばポリイミド系の絶縁性樹脂で構成され、ゲート絶縁膜4aよりも比誘電率は低い。ゲート絶縁膜4b上には、ゲート絶縁膜4aを覆うようにゲート電極5が設けられる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にチャネルとなる半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極がこの順で積層された薄膜トランジスタにおいて、上記ゲート絶縁層の少なくとも一部は、誘電率の異なる2つ以上の絶縁膜が積層されて成り、該絶縁膜の少なくとも1つは絶縁性樹脂から成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 617 U ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 A