特許
J-GLOBAL ID:200903033725201436

CdSxSe(1-x)半導体微結晶含有ガラスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 静男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-068731
公開番号(公開出願番号):特開平6-279053
出願日: 1993年03月26日
公開日(公表日): 1994年10月04日
要約:
【要約】【構成】 Cd,SおよびSe元素を含有する酸性溶液と、最終的にガラスとなる化合物成分とを混合した後、ゲル化・乾燥させてゲル固化体を得て、該ゲル固化体を還元雰囲気内で熱処理してガラスマトリックス中にCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>(但し、0<x<1である)半導体微結晶を析出させることを特徴とするCdS<SB>x</SB>Se<SB>(1-x) </SB>半導体微結晶含有ガラスの製造方法。【効果】 優れた非線形光学特性を有するCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>半導体微結晶含有ガラスを得ることができる。
請求項(抜粋):
Cd,SおよびSe元素を含有する酸性溶液と、最終的にガラスとなる化合物成分とを混合した後、ゲル化・乾燥させてゲル固化体を得て、該ゲル固化体を還元雰囲気内で熱処理してガラスマトリックス中にCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>(但し、0<x<1である)半導体微結晶を析出させることを特徴とするCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>半導体微結晶含有ガラスの製造方法。
IPC (3件):
C03C 10/00 ,  C03B 8/02 ,  G02F 1/35 505

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