特許

J-GLOBAL ID：200903033727182498

TFTアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびTFTアレイ基板の製造方法

発明者： 阪本 弘和
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154864
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005786
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 点欠陥修復を確実に行えるTFTアレイとその製造方法を提供する。【構成】 蓄積容量電極2と同材料で同時に形成され、隣接する2つの画素に重複する点欠陥修復パターン11と、この点欠陥修復パターン11上に蓄積容量誘電体膜3を介して形成されたアイランド12とを備え、点欠陥として認識される画素に対し、その画素のトランジスタ部をレーザ光で図1に示すC-C線部で切断し、その後、画素電極5上のD部および隣接画素の画素電極5上のD部にそれぞれレーザ光を照射して、点欠陥修復パターン11を介して隣接する画素の画素電極を短絡させる。絶縁膜を介した2つの金属膜、すなわち点欠陥修復パターン11およびアイランド12をレーザで接続するため、容易且つ確実に修復が行える。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板上に形成された金属薄膜よりなるゲート電極を兼ね備えたゲート配線、このゲート配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、この半導体層と共に半導体素子を構成するソース電極を兼ね備えたソース配線およびドレイン電極、上記半導体素子の近傍に設けられた透明導電膜よりなる画素電極、上記透明絶縁基板上に形成された金属薄膜よりなる蓄積容量電極、この蓄積容量電極上に設けられた蓄積容量誘電体膜、上記蓄積容量電極と同一の金属材料よりなり、隣接する2つの画素にまたがって配置された第1の金属パターン、この第1の金属パターン上に上記蓄積容量誘電体膜等の絶縁膜を介して配置された第2の金属パターンを備え、レーザ照射にて上記第1の金属パターンと上記第2の金属パターンを溶融して接続することにより隣接する2つの画素電極間を接続し、画素欠陥の修復を行うことを特徴とするTFTアレイ基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 29/78 612 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-024524
  
• 特開平3-242625
  
• 特開昭59-101693