特許
J-GLOBAL ID：200903033738379781
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264517
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224258
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の電極上に金属突起を容易でかつ低コストで形成する転写方式をフリップチップ方式やMBB方式に適用する際にきわめて接続信頼性を高くできる接続方式を提供する。【構成】 金属突起用基板21上に形成された金属突起22と半導体素子23のAl電極24とを接触させた状態で押圧,加熱し、金属突起22とAl電極24とを合金化して接合した後、金属突起22をAl電極24に転写する。この後、金属突起22と配線電極27とを接触させた状態で、前工程よりも高押圧力,高温又は長時間の押圧,加熱により、金属突起22と配線電極27とを再度合金化させる。その後、金属突起22と配線電極27とを光硬化性絶縁樹脂29で固着して接続する。これにより、配線電極27との接続前の金属突起22の大変形を防ぎながら、Al電極-金属突起間の接合強度を強固にする。
請求項（抜粋）：
配線の電極が形成された配線基板と、該配線基板に搭載され、金属突起を介して上記配線の電極に接続される電極が形成された半導体素子とを有する半導体装置の製造方法であって、上記半導体素子の電極に対応した位置に金属突起を設けた金属突起用基板を予め作成しておく準備工程と、上記半導体素子と金属突起用基板とを対峙させ、上記半導体素子の電極と金属突起とを位置合わせして、上記半導体素子と金属突起用基板とを互いに押付け合う押圧力を加え、半導体素子の電極と金属突起とを加熱して、上記半導体素子の電極と上記金属突起との間に合金層を形成させた後、上記金属突起を金属突起用基板から半導体素子の電極に転写させる転写・接合工程と、上記半導体素子と配線基板とを対峙させ、上記転写・接合工程で半導体素子の電極に転写・接合された金属突起と上記配線の電極とを位置合わせして、上記半導体素子と配線基板との間に押圧力を加え,半導体素子の電極及び金属突起を加熱して、上記半導体素子の電極と上記金属突起とが上記転写・接合工程におけるよりも強固な結合となるように両者間にさらに広い範囲の合金層を再度形成させる再合金化工程と、半導体素子と配線基板との間に押圧力を加えた状態で、上記金属突起と配線の電極とを電気的に導通状態にするよう接続させる接続工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/52
, H01L 21/321
