特許

J-GLOBAL ID：200903033741202850

露光マスクの製造方法

発明者： ▲バー▼ 相満
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066912
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339074
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は工程欠陥検査装置及び補償式を用いて近接効果等によるパターンの臨界大きさの差を補償し、露光マスクを作製することにより素子動作の信頼性及び工程収率を向上させることは勿論、素子の高集積化に適宜な露光マスクの製造方法を提供することにその目的がある。【構成】 本発明は露光マスクの製造方法に関し、本発明による露光マスクの製造方法はウェーハ上にデザインルールに従い光遮断膜パターンが製作された第1露光マスクを用いてパターンを形成する段階と、パターンの大きさを工程欠陥検査装置で測定して得られた測定データをデータ比較装置に伝送する段階と、測定データを光遮断膜パターンの大きさと比較して光遮断膜パターンの臨界大きさの値と差を現す部分を検出する段階と、補償式を用いて臨界大きさの変化が測定される部分の光遮断膜パターンの補正値を決定する段階と、補正値を用いて第2露光マスクを形成する段階を含んでなる。

請求項（抜粋）：

ウェーハ上にデザインルールに従い光遮断膜パターンが作製された第1露光マスクを用いてパターンを形成する段階;前記パターンの大きさを工程欠陥検査装置で測定して得られた測定データをデータ比較装置に伝送する段階;前記測定データを前記光遮断膜パターンの大きさと比較して光遮断膜パターンの臨界大きさの値と差を現す部分を検出する段階;補償式を用いて前記臨界大きさの変化が測定される部分の光遮断膜パターンの補正値を決定する段階;前記補正値を用いて第2露光マスクを形成する段階;を含んで成ることを特徴とする露光マスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 S ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-215861
  
• 特開昭59-004019
  
• 特開平1-239922
  
• 特開昭63-260147