特許

J-GLOBAL ID：200903033750046461

ワード線ドライバ

発明者： 市川 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-340575
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161189
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 Bi-CMOSの高速性を維持しつつ低電源電圧下においてもメモリセルの安定した動作を可能としたワード線ドライバを提供する。【構成】 Bi-CMOSのSRAMにおいて、ワード線を駆動するドライバを、正側電源VDDとワード線WLとの間に接続されかつゲートに入力信号INが印加されるPMOSトランジスタQ11と、ドレインがワード線WLに接続されかつゲートに入力信号INが印加されるNMOSトランジスタQ12と、このNMOSトランジスタQ12のソースと負側電源VSSとの間に接続されかつワード線WLにゲートが接続されたNMOSトランジスタQ13と、ワード線WLと負側電源VSSとの間に接続されかつNMOSトランジスタQ12,Q13のソース・ドレイン共通接続点にベースが接続されたNPNトランジスタTrとによって構成する。

請求項（抜粋）：

メモリセルをMOSトランジスタを用いて構成し、メモリセル以外の回路の一部又は全部をバイポーラトランジスタを用いて構成した半導体記憶装置におけるワード線ドライバであって、正側電源とワード線との間に接続されかつゲートに入力信号が印加されるP型MOSトランジスタと、ドレインがワード線に接続されかつゲートに前記入力信号が印加される第1のN型MOSトランジスタと、前記第1のN型MOSトランジスタのソースと負側電源との間に接続されかつワード線にゲートが接続された第2のN型MOSトランジスタと、ワード線と負側電源との間に接続されかつ前記第1,第2のN型MOSトランジスタの共通接続点にベースが接続されたバイポーラトランジスタとを備えたことを特徴とするワード線ドライバ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-149896
  
• 特開平4-222990
  
• 特開平3-216015