特許
J-GLOBAL ID：200903033752523267
多層配線構造体および半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018897
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220020
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 電流方向が交差する上下の多層配線を接続するに際し、この交差領域での電流集中を緩和あるいは阻止をする。もって、例えば、Al配線におけるエレクトロマイグレーションを緩和あるいは阻止をする。【解決手段】 少なくとも第1の導体幅を有する第1の導体層と前記第1の導体幅より大きい導体幅を有する第2の導体層とを有し、少なくとも前記第2の導体層の複数層が交差して配され且つ当該第2の導体層の複数層が層間絶縁領域を介して電気的接続がなされ、前記電気的接続がなされる領域が1個もしくは複数個の層間接続導体により電気的接続がなされ且つこの層間接続導体が当該第2の導体層の複数層の重複領域の前記導体層の交差内角側に非対称に配する。交差領域での最短電流経路の延長を図る。
請求項（抜粋）：
半導体基体主表面上に少なくとも第1の導体幅を有する第1の導体層と前記第1の導体幅より大きい導体幅を有する第2の導体層とを有し、少なくとも前記第2の導体層の複数層が交差して配され且つ当該第2の導体層の複数層が層間絶縁領域を介して電気的接続がなされ、前記電気的接続がなされる領域が1個もしくは複数個の層間接続導体により電気的接続がなされ且つこの層間接続導体が当該第2の導体層の複数層の重複領域の前記導体層の交差内角側に非対称に配されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 B
, H05K 3/46 B
