特許

J-GLOBAL ID：200903033754602210

半導体レーザ加熱装置

発明者： 山根 茂樹 ,  竹中 義彰 ,  長安 同慶
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-064888
公開番号（公開出願番号）：特開2001-252776
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：

【要約】【課題】 レーザ光を直接ワークに照射する方式で半導体レーザ部の破損を防止し、再現性のある安定した良好な接合、溶接の半導体レーザ加熱装置を実現する【解決手段】 電源部1、半導体レーザ部2、レンズ部3で構成されており、照射レーザ光4はワーク5に対し法線から角度θ°に傾け取り付けてある。半導体レーザ部2から照射レーザ光4はワーク5に対し角度θ斜めに照射するため、反射光は半導体レーザ部2に戻ることは無い。したがって、反射光による半導体レーザ部の破損を防止することができる。

請求項（抜粋）：

電源部と、前記電源部からエネルギを供給されてレーザ光を出力する半導体レーザ部と、前記レーザ光を被加工物へ集光するレンズ部とを備え、前記レーザ光を被加工物に対して斜めに照射する半導体レーザ加熱装置。

IPC (3件)：

B23K 26/00 ,  H01L 21/268 ,  H01S 5/062

FI (5件)：

B23K 26/00 Q ,  B23K 26/00 N ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/268 T ,  H01S 5/062

Fターム (11件)：

4E068CA02 ,  4E068CA17 ,  4E068CA18 ,  4E068CB09 ,  4E068CC01 ,  5F073AB27 ,  5F073BA09 ,  5F073FA05 ,  5F073FA11 ,  5F073GA03 ,  5F073GA12