特許
J-GLOBAL ID：200903033758575560

金属用研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法

発明者：
加藤 知夫

加藤 知夫 について

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冨賀 敬充

冨賀 敬充 について

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稲葉 正

稲葉 正 について

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吉川 将

吉川 将 について

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高宮 寿美

高宮 寿美 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-230148
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064881
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】高い研磨速度を達成しつつ、ディッシングの発生を効果的に抑制するとともに、チタンからなるバリア層を用いた半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、チタンからなるバリア層と導電性金属との研磨速度の選択比が高い金属研磨用組成物および該金属研磨用組成物を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。【解決手段】(a)下記一般式(A)で表される化合物、(b)下記一般式(B)、(C)および(D)で表される化合物から選択される少なくとも一種、および(c)酸化剤を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。 R1は、水素原子、脂肪族炭化水素基等を表し、R2は、水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、または、-C(=O)Zを表し、Zは、水素原子、脂肪族炭化水素基等を表し、R3〜R10は、水素原子、アルキル基等を表す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの主として導電性金属配線の化学的機械的研磨に用いられる金属研磨用組成物であって、(a)下記一般式(A)で表される化合物、(b)下記一般式(B)、下記一般式(C)、および下記一般式(D)で表される化合物から選択される少なくとも一種、および(c)酸化剤を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (5件)：
H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550C
Fターム (7件)：
3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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