半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097914
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284792
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】無鉛半田において、耐熱疲労性能を向上させると共に、半導体装置をプリント基板に半田実装する際の高温度にさらしてもダイボンド部の抵抗変化を小さくすること。【解決手段】 Sbを11.0〜20.0質量%、Pを0.01〜0.2質量%、好ましくはさらにCu,Niのうち少なくとも1種を0.005〜5.0質量%含み、残部Sn及び不可避的不純物からなるダイボンディング用半田材料。ICチップとリードフレームアイランド部の接合面がCu,Ni又はAuであり、かつ樹脂成形後150〜250°Cで熱処理することが好ましい。

請求項（抜粋）：

Sbを11.0〜20.0質量%、Pを0.01〜0.2質量%及び残部がSn及び不可避不純物からなるダイボンディング用半田材料。

IPC (3件)：

H05K 3/34 512 , B23K 35/26 310 , H01L 21/52

FI (3件)：

H05K 3/34 512 C , B23K 35/26 310 A , H01L 21/52 E

Fターム (9件)：

5E319AA03 , 5E319AA07 , 5E319AB01 , 5E319BB05 , 5F047AA11 , 5F047BA06 , 5F047BA19 , 5F047BB02 , 5F047BB03

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