特許

J-GLOBAL ID：200903033762674875

高分解能リソグラフィを用いる半導体装置の製造方法及び装置

発明者： シェーン アール.パーマー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133970
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055068
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造のために、フォトレジストをポジティブ又はネガティブから反対の極性に変化させる方法と、同方法を実施して焦点深度及び分解能に関し改良されたフォトレジスト装置とを提供することである。【解決手段】 本発明の1つの実施態様として、半導体装置の製造のために高分解能リソグラフィを実施するフォトレジスト装置であって、特性の第1の値において活性化されて第1の反応を生起する第1の感光性配合物、及び上記特性の第1の値とは異る第2の値において活性化される第2の感光性配合物を含んでおり、上記第2の感光性配合物の活性化は上記第1の反応を取り消すように作用する上記フォトレジスト装置が得られ、それによれば簡単な操作により、非常に小さい機構を含んだパターンが形成されたフォトレジスト層を作り出すことができる。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造するための高分解能リソグラフィを実施するフォトレジスト装置であって、特性の第1の値において活性化されて第1の反応を生起する第1の感光性配合物、及び前記特性の前記第1の値とは異る前記特性の第2の値において活性化される第2の感光性配合物を包含し、更に前記第2の感光性配合物の活性化は前記第1の反応を取り消すようにされたことを特徴とする、半導体装置を製造するための高分解能リソグラフィを実施するフォトレジスト装置。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/30 573