発光ダイオードおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-051455
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086836
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、ガラスのような低コストの透明基板に、柔らかい透明接着層によって低温で接合された高輝度LED を提供することである。【解決手段】本発明は発光ダイオード(LED)およびそれの製造方法を開示した。本発光ダイオードは、吸収基板を有するエピタキシャル層16に透明接着材14を介して接着した透明基板10からなる。次に、この吸収基板は除去されて、透明基板10を有する発光ダイオードを形成する。透明基板10は低光吸収なので、本発明は高発光効率を提供する。さらに、第1金属結合層32は電極接続チャネル31により第1オーム接触層28と電気的に接続しているので、一定の電流において電圧が低下し、かつ電流分布が向上して、発光ダイオードの発光効率を向上させる。

請求項（抜粋）：

上部クラッド層と下部クラッド層とに挟まれた活性層からなるAlGaInP多層エピタキシャル接合と、該上部クラッド層上に第1方向に形成されるエピタキシャル層と、該エピタキシャル層上に第1方向に形成される第1オーム接触層と、該第1オーム接触層上の第1方向に位置する透明接着層と、該透明接着層を介して該第1オーム接触層に第1方向に接着する透明基板と、該下部クラッド層上に、前記第1方向と反対の方向である第2方向に形成される第2オーム接触層と、該エピタキシャル層上に第2方向に形成される第1金属結合層と、該第2オーム接触層上に第2方向に形成される第2金属結合層と、該第1金属結合層を該第1オーム接触層に電気的に接続させるために、該エピタキシャル層内に形成される電極連結チャネルと、からなる発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 B , H01L 21/205

Fターム (23件)：

5F041AA03 , 5F041AA41 , 5F041AA47 , 5F041CA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA46 , 5F041CA77 , 5F041CA93 , 5F045AB18 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DA64 , 5F045HA14

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